Приповерхностный слой
Вероятно, о большей или меньшей прочности приповерхностного слоя по сравнению с объемом материала следует говорить, лишь строго отмечая конкретные условия деформации, ее абсолютную величину и скорость, тип среды, предысторию исследуемого материала, метод нагружения и исследования, и, главное, необходимо четко различать, на какой стадии микро — или макропластического течения идет речь об ослабленном или более прочном приповерхностном слое. По-видимому, в общем случае протекание процесса микропластической деформации в приповерхностных слоях кристаллов можно разделить на две основные стадии. На первой (начальной) стадии это аномальное поведение выражается в более облегченном образовании и движении дислокаций в приповерхностных слоях кристаллических материалов по сравнению с его внутренними объемными слоями.
Протекание второй стадии (барьерный эффект поверхности) можно рассматривать как неизбежное следствие протекания первой стадии аномального пластического течения, т. е. того обстоятельства, что все стадии деформационного упрочнения на кривой напряжение — деформация у поверхности как бы сдвинуты по фазе. Они опережают по времени аналогичные стадии объемной деформации и протекают у поверхности быстрее, чем в объеме материала.
В результате этого вблизи поверхности образуется слой с повышенной плотностью дислокаций, так называемый debrs-слой, который препятствует выходу полос скольжения на поверхность кристалла и тормозит развитие объемной деформации. Таким образом, в данном случае эффект как бы меняет знак, т. е. более облегченные условия деформации вблизи поверхности кристалла сменяются более затрудненными.
В настоящее время особенности пластического течения вблизи поверхности большинством исследователей объясняются, как правило, с позиций наличия повышенной концентрации гетерогенных или легко действующих гомогенных источников дислокаций в приповерхностных слоях. В частности, в работе были обоснованы причины более предпочтительного генерирования дислокационных петель под поверхностными гомогенными источниками, расположенными в радиусе действия сил изображения.
