Экспериментальное изучение

Экспериментальное изучениеЭкспериментальное изучение зависимости интенсивности рефлекса при напряжениях 150 и 294 в для поверхности (ПО) в температурном интервале 100-700°С показало, что дебаевская температура для этих двух напряжений равна соответственно 310 и 350° К — Дебаевская температура для N, определенная с помощью быстрых электронов и рентгеновских лучей, равна 390° К. Алдаг и Стерн исследовали дифракцию медленных электронов от плоскости (ПО) монокристалла вольфрама. Температура Дебая оказалась равной 245°К для электронов с энергией 72 эв и 410° К для электронов с энергией 696 эв. Джонс, Маккини и Вебб исследовали дифракцию от плоскости монокристалла серебра. Средний квадрат амплитуды для поверхностных атомов оказался почти в 2 раза больше, чем для атомов в объеме кристалла, а эффективная дебаевская температура возрастает в этом случае от 158°К для электронов с энергией: 116 эв до 201° К для электронов с энергией 271 эв. В случае исследования поверхности монокристалла платины разница в температурах Дебая поверхности и объема кристалла составила около 130° К, а при исследовании монокристаллов кремния — около 90° К ; в последнем случае средние квадраты амплитуд смещений, нормальных к грани, на поверхности оказались в 1,4-1,8 раза больше, чем в объеме кристалла.

Аналогичные данные (и±2и2 в 1,5-2 раза) методом ДМЭ были получены для монокристаллов палладия и свинца, а также с помощью эффекта Мессбауэра для Со57и Fe57. Кроме того, непосредственный анализ дифракционных картин с поверхности исследуемых кристаллов, полученных методом. ДМЭ, показал, что атомы в поверхностных слоях из-за отсутствия сил межатомной связи с одной стороны существенно смещены от своих нормальных положений в кристаллической решетке.

При этом на поверхности кристалла образуются сложные двумерные структуры с иной симметрией решетки, а также с другими плотностью, длиной и типом атомных связей. Например, Хенеман получил данные об искажении тетраэдрической симметрии, измеряя дифракцию электронов на чистых поверхностях полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки.

Комментарии запрещены.